Синхронная динамическая память DDR3 SDRAM
Память DDR3 является логическим развитием стандарта DDR2. Стандарт DDR3 был принят летом 2007 года, однако многие производители еще до официального утверждения спецификации успели представить новые модули. Как уже упоминалось, основную долю рынка этот стандарт завоюет в 2010 году. Эффективная частота работы современных модулей DDRS-памяти будет составлять от 1066 до 1600 МГц (хотя выпускаются и более скоростные модули для энтузиастов, работающие на частоте 1800 МГц и выше).
Кроме увеличенной пропускной способности, память DDR3 также выгодно отличается и уменьшенным энергопотреблением. Так, если модули DDR-памяти работают при напряжении питания 2,5 В, а модули DDR2 — при 1,8 В, то модули DDR3 функционируют при напряжении питания 1,5 В (на 16,5 % меньше, чем для памяти DDR2). Снижение напряжения питания достигается за счет использования 90-нанометрового техпроцесса производства микросхем памяти и применения транзисторов с двойным затвором (Dual-gate), что способствует снижению токов утечки.
Разгон модулей памяти становится возможным при увеличении штатного напряжения до 1,8 В. Специально для облегчения разгона многие производители (OCZ, Kingston и др.) поставляют наборы модулей с поддержкой технологии ХМР. Эта система, реализованная во всех современных чипсетах Intel, начиная с Х38, обеспечивает возможность использования заранее определенных наборов настроек оперативной памяти, облегчающих ее разгон. ХМР-совместимые модули поставляются с предустановленными ХМР-профилями, содержащими различные наборы таймингов. Как правило, такие модули оптимизированы для работы с повышенным напряжением — от 1,65 до 1,9 В.
Но главное преимущество DDR3 заключается в ее более высокой частоте работы, которая достигается благодаря восьмибитному буферу предварительной выборки, тогда как буфер DDR2 составляет 4 бита, a DDR — 2 бита.
Для памяти DDR3 реализована восьмибанковая логическая структура, а размер страницы составит 1 Кбайт для чипов с шиной х4 и х8 и 2 Кбайт для чипов с ши¬ной х16.
Принципиальное отличие памяти DDR3 от DDR2 заключается в реализации ме-ханизма 8n-Prefetch вместо 4n-Prefetch. Для организации данного режима работы памяти необходимо, чтобы буфер ввода-вывода (мультиплексор) работал на частоте, в восемь раз большей по сравнению с частотой ядра памяти. Достигается это следующим образом: ядро памяти, как и прежде, синхронизируется по положительному фронту тактирующих импульсов, а с приходом каждого положительного фронта по восьми независимым линиям в буфер ввода-вывода (мультиплексор) передаются 8п бит информации (выборка 8п бит за такт). Сам буфер ввода-вывода тактируется на учетверенной частоте ядра памяти и синхронизируется как по положительному, так и по отрицательному фронту данной частоты. Это позволяет за каждый такт работы ядра памяти передавать восемь слов на шину данных, то есть в восемь раз повысить пропускную способность памяти. Понятно, что в случае реализации архитектуры 8n-Prefetch длина пакета (Burst Length) данных не может быть менее 8. Поэтому для памяти DDR2 минимальная длина пакета составляет 8.
Вследствие увеличения Prefetch модули DDR3 отличаются более высокими задержками, чем DDR2 (именно это наряду с высокими ценами в течение долгого времени заставляло индустрию относиться к новому стандарту с настороженностью). К примеру, если DDR1 работает с задержками 2, 2,5 или 3 импульса CAS, то DDR3 требует не менее 5 тактовых импульсов для той же процедуры. Впрочем, повышение тактовой частоты отчасти компенсирует высокие задержки.
Конечно, реализация механизма 8n-Prefetch вместо 4n-Prefetch — это не единственное различие между памятью DDR3 и DDR2. Другими нововведениями, реализованными в памяти DDR3, являются технология динамического терминирования сигналов (dynamic On-Die Termination, ODT) и новая технология калибровки сигналов. Технология ODT позволяет гибко оптимизировать значения терминальных сопротивлений в зависимости от условий загрузки памяти.
Как и DDR2, память DDR3 поставляется в виде модулей DIMM (для больших компьютеров) или SO-DIMM (для ноутбуков). Стандарт модуля остался неизменным (240 контактов), однако вырез-ключ на модулях DDR3 расположен иначе во избежание путаницы (табл. 3.2). Качественные модули от надежных производителей (например, Kingston) поставляются только парами или комплектами по три штуки (для трехканального режима), при этом каждый модуль покрыт сверху защитным кожухом или радиатором. Емкость модулей памяти DDR3 составляет от 1 до 8 Гбайт.
При выборе модулей памяти DDR3 необходимо, как и в случае с DDR2, обращать внимание не только на частоту и емкость, но и на тайминги. Например, модули среднего класса, такие как Kingston НурегХ (1333 МГц), работают с таймингом 7-7-7-20. У более быстрых модулей встречаются значительно меньшие тайминги, вплоть до 5-5-3-13.
Сегмент оперативной памяти на данный момент является, пожалуй, самым запутанным и непонятным на рынке компьютерных комплектующих. Разобраться в нем — задача не из простых. Огромное количество производителей наперебой предлагают пользователям самые высокопроизводительные системы с максимальными возможностями. Кроме того, модули памяти — весьма бедная сфера для экспериментов производителя. Все изменения изделий сводятся к замене теплорассеивающих радиаторов, а также повышению характеристик их стоимости. В связи с этим решения различных производителей становятся практически близнецами, из которых трудно выделить фаворитов.
СОВЕТ:
Однако тем, кто ценит надежность и стабильность работы системы, мы предлагаем ориентироваться на продукцию таких компаний, как Corsair, Kingston и OCZ.
Виды модулей DDR3:
Название Тип Частота Время Частота Передача Пиковая скорость
модуля чипа памяти,МГц цикла,не шины, МГц данных,млн/с скорость передачи
данных Мбайт/с
РСЗ-6400 DDR3-800 100 10 400 800 6400
РСЗ-8500 DDR3-1066 133 7,5 533 1066 8533
РСЗ-10600 DDR3-1333 166 6 667 1333 10 667
РСЗ-12800 DDR3-1600 200 5 800 1600 12 800
РСЗ-14400 DDR3-1800 225 4,44 900 1800 14 400
РСЗ-16000 DDR3-2000 250 4 1000 2000 16 000
РСЗ-17000 DDR3-2133 266 3,75 1066 2133 17 066
РСЗ-19200 DDR3-2400 300 3,33 1200 2400 19 200
|
Главная 
