Виды асинхронной памяти
Асинхронная память FPM DRAM
Существует довольно много различных вариантов динамической памяти, незначительно отличающихся друг от друга принципами доступа к данным. Обычная динамическая память DRAM уже давно не встречается — в середине 1990-х годов ей на смену пришла модификация динамической памяти FPM DRAM (Fast Page Mode — динамическая память с быстрым страничным доступом).
Принцип действия FPM-памяти основан на предположении о последовательном доступе к данным: предполагается, что данные, к которым происходит обращение, расположены последовательно в пределах одной строки матрицы памяти. Страницей в данном случае называется сама строка матрицы. Смысл страничного режима доступа заключается в том, что после выбора строки матрицы и удержания RAS допускается многократная установка адреса столбца, стробируемого CAS. Такой подход позволяет выбирать последовательные данные в пределах одной строки без изменения ее адреса, то есть с одним и тем же сигналом RAS. Это дает возможность ускорить блочные передачи, но только в том случае, если весь блок данных или его часть находится внутри одной строки матрицы.
Асинхронная память EDO DRAM
Вторым типом динамической памяти (она также уже не встречается) является EDO DRAM ( Extended Data Out), по сути представляющая собой несколько продвинутый вариант FPM памяти. В этой памяти тоже реализована страничная схема доступа, но на выходе микросхемы памяти устанавливаются регистры-защелки данных. При страничном режиме доступа такой тип памяти работает по принципу конвейера: содержимое выбранной ячейки удерживается в выходных регистрах-защёлках, в то время как на входы матрицы уже подается адрес следующей выбираемой ячейки. В режиме конвейера удается совместить по времени несколько операций, что приводит к увеличению (по сравнению с FPM-памятью) скорости считывания последовательных массивов данных. Однако при случайной адресации такая память ничем не отличается от обычной.
Асинхронная память BEDO DRAM
BEDO (Burst EDO) DRAM — это вариант все той же EDO-памяти, но с реализацией блочного, или пакетного, доступа. В BEDO-памяти реализованы не одиночные циклы чтения/записи данных, а пакетные. Дело в том, что современные процессоры благодаря кэшированию команд и данных обмениваются с оперативной памятью в основном блоками данных. В таком режиме нет необходимости постоянной подачи последовательных адресов на входы микросхем памяти — следует лишь стробировать переход к очередному блоку данных отдельным сигналом.
Обращение к BEDO на чтение имеет два отличия от доступа к EDO. Первое — это то, что на выходе устанавливаются триггерные регистры хранения, в соответствии с принципом работы которых в первом такте синхронизирующего импульса (срабатывание по положительному фронту импульса) данные поступают на вход регистра, а во втором такте — на его выход. Тактирующим импульсом в данном случае является сигнал CAS, поэтому в первом такте CAS данные поступают па вход регистров и только во втором такте - на выходы. Преимущество такого внутренего конвейерного звена реннего конвейерного звена состоит в том, что во втором такте время появления данных после выдачи переднего фронта CAS будет меньше.
Другое отличие состоит в том, что при обращении к BEDO-памяти задается адрес одной ячейки в строке, а за счет стробирующих импульсов CAS считывается содержание и этой ячейки, и трёх следующих, то есть реализуется пакетный метод доступа.
|
Главная 
